Observation of a Distributed Epitaxial Oxide in Thermally Grown SiO2 on Si(001).
Phys Rev Lett
; 75(23): 4254-4257, 1995 Dec 04.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-10059858
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev Lett
Ano de publicação:
1995
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos