Photoluminescence properties of multiple stacked planes of GaN/AlN quantum dots studied by near-field optical microscopy. | J Microsc;202(Pt 1): 212-7, 2001 Apr. | MEDLINE

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Photoluminescence properties of multiple stacked planes of GaN/AlN quantum dots studied by near-field optical microscopy.

Gucciardi, P G; Vinattieri, A; Colocci, M; Damilano, B; Grandjean, N; Semond, F; Massies, J.

Afiliação

Gucciardi PG; Istituto Nazionale di Fisica della Materia, Dipartimento di Fisica and LENS, Largo E. Fermi 2, I-50125 Firenze, Italy. guccia@lens.unifi.it

J Microsc ; 202(Pt 1): 212-7, 2001 Apr.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-11298895

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Microsc Ano de publicação: 2001 Tipo de documento: Article País de afiliação: Itália País de publicação: Reino Unido

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