Chemical junction delineation of a specific site in Si devices.
J Electron Microsc (Tokyo)
; 53(3): 277-80, 2004.
Article
em En
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| ID: mdl-15332655
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Coleções:
01-internacional
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Assunto principal:
Silício
/
Microscopia Eletrônica de Varredura
Idioma:
En
Revista:
J Electron Microsc (Tokyo)
Ano de publicação:
2004
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Japão