Properties of Cu(thd)2 as a precursor to prepare Cu/SiO2 catalyst using the atomic layer epitaxy technique.

Chen, Ching S; Lin, Jarrn H; You, Jainn H; Chen, Chi R

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Properties of Cu(thd)2 as a precursor to prepare Cu/SiO2 catalyst using the atomic layer epitaxy technique.

Chen, Ching S; Lin, Jarrn H; You, Jainn H; Chen, Chi R.

Afiliação

Chen CS; Center for General Education, Chang Gung University, 259 Wen-Hwa 1st Road, Kwei-Shan Tao-Yuan, Taiwan 333, Republic of China. cschen@mail.cgu.edu.tw

J Am Chem Soc ; 128(50): 15950-1, 2006 Dec 20.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17165704

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Am Chem Soc Ano de publicação: 2006 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Estados Unidos

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