Magnetic random access memory (MRAM).

Zheng, Yuankai; Wu, Yihong; Lil, Kebin; Qiu, Jinjun; Han, Guchang; Guo, Zaibing; Luo, Ping; An, Lihua; Liu, Zhiyong; Wang, Li; Tan, Seng Ghee; Zong, Baoyu; Liu, Bo

Zheng, Yuankai; Wu, Yihong; Lil, Kebin; Qiu, Jinjun; Han, Guchang; Guo, Zaibing; Luo, Ping; An, Lihua; Liu, Zhiyong; Wang, Li; Tan, Seng Ghee; Zong, Baoyu; Liu, Bo.

Afiliação

Zheng Y; Data Storage Institute, 5 Engineering Drive 1, Republic of Singapore, 117608.

J Nanosci Nanotechnol ; 7(1): 117-37, 2007 Jan.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-17455479

Assuntos

Dispositivos de Armazenamento em Computador; Computadores; Armazenamento e Recuperação da Informação; Magnetismo; Desenho de Equipamento; Temperatura Alta; Modelos Químicos; Modelos Estatísticos; Nanotecnologia; Reprodutibilidade dos Testes; Temperatura

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Computadores / Dispositivos de Armazenamento em Computador / Armazenamento e Recuperação da Informação / Magnetismo Tipo de estudo: Clinical_trials / Prognostic_studies / Risk_factors_studies Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2007 Tipo de documento: Article

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