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GaN, ZnO and InN nanowires and devices.
Pearton, S J; Kang, B S; Gila, B P; Norton, D P; Kryliouk, O; Ren, F; Heo, Young-Woo; Chang, Chih-Yang; Chi, Gou-Chung; Wang, Wei-Ming; Chen, Li-Chyong.
Afiliação
  • Pearton SJ; Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611-6400, USA.
J Nanosci Nanotechnol ; 8(1): 99-110, 2008 Jan.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-18468056
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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Ano de publicação: 2008 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos País de publicação: Estados Unidos
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