A novel route for the inclusion of metal dopants in silicon.

Gardener, Jules A; Liaw, Irving; Aeppli, Gabriel; Boyd, Ian W; Chater, Richard J; Jones, Tim S; McPhail, David S; Sankar, Gopinathan; Stoneham, A Marshall; Sikora, Marcin; Thornton, Geoff; Heutz, Sandrine

Gardener, Jules A; Liaw, Irving; Aeppli, Gabriel; Boyd, Ian W; Chater, Richard J; Jones, Tim S; McPhail, David S; Sankar, Gopinathan; Stoneham, A Marshall; Sikora, Marcin; Thornton, Geoff; Heutz, Sandrine.

Afiliação

Gardener JA; Department of Physics, University College London, London, UK.

Nanotechnology ; 21(2): 025304, 2010 Jan 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-19955611

Assuntos

Cristalização/métodos; Manganês/química; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/métodos; Silício/química; Substâncias Macromoleculares/química; Substâncias Macromoleculares/efeitos da radiação; Manganês/efeitos da radiação; Teste de Materiais; Conformação Molecular/efeitos da radiação; Nanoestruturas/efeitos da radiação; Nanoestruturas/ultraestrutura; Tamanho da Partícula; Silício/efeitos da radiação; Propriedades de Superfície/efeitos da radiação; Raios Ultravioleta

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Cristalização / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Manganês Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: Reino Unido País de publicação: Reino Unido

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