Epitaxial growth of InGaN nanowire arrays for light emitting diodes.

Hahn, Christopher; Zhang, Zhaoyu; Fu, Anthony; Wu, Cheng Hao; Hwang, Yun Jeong; Gargas, Daniel J; Yang, Peidong

Hahn, Christopher; Zhang, Zhaoyu; Fu, Anthony; Wu, Cheng Hao; Hwang, Yun Jeong; Gargas, Daniel J; Yang, Peidong.

Afiliação

Hahn C; Department of Chemistry, University of California, Berkeley, California 94720, United States.

ACS Nano ; 5(5): 3970-6, 2011 May 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21495684

Assuntos

Gálio/química; Índio/química; Iluminação/instrumentação; Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Semicondutores; Cristalização/métodos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Tamanho da Partícula

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Iluminação / Nanoestruturas / Gálio / Índio Idioma: En Revista: ACS Nano Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos País de publicação: Estados Unidos

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