Oxide double-layer nanocrossbar for ultrahigh-density bipolar resistive memory.

Chang, Seo Hyoung; Lee, Shin Buhm; Jeon, Dae Young; Park, So Jung; Kim, Gyu Tae; Yang, Sang Mo; Chae, Seung Chul; Yoo, Hyang Keun; Kang, Bo Soo; Lee, Myoung-Jae; Noh, Tae Won

Chang, Seo Hyoung; Lee, Shin Buhm; Jeon, Dae Young; Park, So Jung; Kim, Gyu Tae; Yang, Sang Mo; Chae, Seung Chul; Yoo, Hyang Keun; Kang, Bo Soo; Lee, Myoung-Jae; Noh, Tae Won.

Afiliação

Chang SH; ReCFI, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea.

Adv Mater ; 23(35): 4063-7, 2011 Sep 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21809400

Assuntos

Nanoestruturas/química; Óxidos/química; Semicondutores; Titânio/química; Compostos de Vanádio/química

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Óxidos / Nanoestruturas Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article País de publicação: Alemanha

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