Vertical InGaN light-emitting diodes with a sapphire-face-up structure.

Yang, Y C; Sheu, Jinn-Kong; Lee, Ming-Lun; Tu, Shang-Ju; Huang, Feng-Wen; Lai, Wei-Chih; Hon, Schang  Jing; Ko, Tsun Kai

Yang, Y C; Sheu, Jinn-Kong; Lee, Ming-Lun; Tu, Shang-Ju; Huang, Feng-Wen; Lai, Wei-Chih; Hon, Schang Jing; Ko, Tsun Kai.

Afiliação

Yang YC; Department of Photonics, National Cheng Kung University, Tainan City 70101, Taiwan.

Opt Express ; 20(1): A119-24, 2012 Jan 02.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22379672

Assuntos

Óxido de Alumínio/química; Gálio/química; Índio/química; Iluminação/instrumentação; Semicondutores; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Iluminação / Óxido de Alumínio / Gálio / Índio Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Taiwan País de publicação: Estados Unidos

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