Achieving high field-effect mobility in amorphous indium-gallium-zinc oxide by capping a strong reduction layer.

Zan, Hsiao-Wen; Yeh, Chun-Cheng; Meng, Hsin-Fei; Tsai, Chuang-Chuang; Chen, Liang-Hao

Zan, Hsiao-Wen; Yeh, Chun-Cheng; Meng, Hsin-Fei; Tsai, Chuang-Chuang; Chen, Liang-Hao.

Afiliação

Zan HW; Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, 1001, Ta-Hsueh Rd, HsinChu, 300, Taiwan. hsiaowen@mail.nctu.edu.tw

Adv Mater ; 24(26): 3509-14, 2012 Jul 10.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22678659

Assuntos

Gálio/química; Índio/química; Transistores Eletrônicos; Óxido de Zinco/química; Transporte de Elétrons

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Transistores Eletrônicos / Óxido de Zinco / Gálio / Índio Idioma: En Revista: Adv Mater Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article País de afiliação: Taiwan País de publicação: Alemanha

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