Components of gating charge movement and S4 voltage-sensor exposure during activation of hERG channels.

Wang, Zhuren; Dou, Ying; Goodchild, Samuel J; Es-Salah-Lamoureux, Zeineb; Fedida, David

Wang, Zhuren; Dou, Ying; Goodchild, Samuel J; Es-Salah-Lamoureux, Zeineb; Fedida, David.

Afiliação

Wang Z; Department of Anesthesiology, Pharmacology and Therapeutics, University of British Columbia, Vancouver, British Columbia V6T 1Z3, Canada.

J Gen Physiol ; 141(4): 431-43, 2013 Apr.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23478995

Assuntos

Canais de Potássio Éter-A-Go-Go/metabolismo; Ativação do Canal Iônico; Simulação de Dinâmica Molecular; Sequência de Aminoácidos; Linhagem Celular; Canal de Potássio ERG1; Canais de Potássio Éter-A-Go-Go/química; Canais de Potássio Éter-A-Go-Go/efeitos dos fármacos; Canais de Potássio Éter-A-Go-Go/genética; Humanos; Potenciais da Membrana; Mesilatos/farmacologia; Dados de Sequência Molecular; Mutação de Sentido Incorreto; Estrutura Terciária de Proteína; Eletricidade Estática

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Ativação do Canal Iônico / Canais de Potássio Éter-A-Go-Go / Simulação de Dinâmica Molecular Tipo de estudo: Prognostic_studies Limite: Humans Idioma: En Revista: J Gen Physiol Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: Canadá País de publicação: Estados Unidos

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