Your browser doesn't support javascript.
loading
On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes.
Kyaw, Zabu; Zhang, Zi-Hui; Liu, Wei; Tan, Swee Tiam; Ju, Zhen Gang; Zhang, Xue Liang; Ji, Yun; Hasanov, Namig; Zhu, Binbin; Lu, Shunpeng; Zhang, Yiping; Sun, Xiao Wei; Demir, Hilmi Volkan.
Opt Express ; 22(1): 809-16, 2014 Jan 13.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24515040
Assuntos
Texto completo
Adicionar na Minha BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Iluminação / Eletrodos / Gálio / Índio Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article País de publicação: Estados Unidos
Texto completo
Adicionar na Minha BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Semicondutores / Iluminação / Eletrodos / Gálio / Índio Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article País de publicação: Estados Unidos