Optoelectrical characteristics of green light-emitting diodes containing thick InGaN wells with digitally grown InN/GaN.
Opt Express
; 22 Suppl 3: A633-41, 2014 May 05.
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Idioma:
En
Revista:
Opt Express
Assunto da revista:
OFTALMOLOGIA
Ano de publicação:
2014
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos