Strain- and surface-induced modification of photoluminescence from self-assembled GaN/Al0.5Ga0.5N quantum dots: strong effect of capping layer and atmospheric condition.
Nanotechnology
; 25(30): 305703, 2014 Aug 01.
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Idioma:
En
Revista:
Nanotechnology
Ano de publicação:
2014
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Reino Unido