Elastic properties of GaN nanowires: revealing the influence of planar defects on young's modulus at nanoscale.

Dai, Sheng; Zhao, Jiong; He, Mo-rigen; Wang, Xiaoguang; Wan, Jingchun; Shan, Zhiwei; Zhu, Jing

Dai, Sheng; Zhao, Jiong; He, Mo-rigen; Wang, Xiaoguang; Wan, Jingchun; Shan, Zhiwei; Zhu, Jing.

Afiliação

Dai S; Beijing National Center for Electron Microscopy, The State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Laboratory of Advanced Materials, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University , Beijing 100084, China.

Nano Lett ; 15(1): 8-15, 2015 Jan 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25427143

Assuntos

Módulo de Elasticidade; Gálio/química; Nanofios/química

Palavras-chave

GaN nanowires; Young's modulus; elastic behavior; in situ electron microscopy; planar defects

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Nanofios / Módulo de Elasticidade / Gálio Idioma: En Revista: Nano Lett Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Estados Unidos

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