Size-dependent resistive switching properties of the active region in nickel nitride-based crossbar array resistive random access memory.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(12): 9088-91, 2014 Dec.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-25971015
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Coleções:
01-internacional
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MEDLINE
Tipo de estudo:
Clinical_trials
Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Ano de publicação:
2014
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos