Mechanisms of current fluctuation in ambipolar black phosphorus field-effect transistors. | Nanoscale;8(6): 3572-8, 2016 Feb 14. | MEDLINE

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Mechanisms of current fluctuation in ambipolar black phosphorus field-effect transistors.

Li, Xuefei; Du, Yuchen; Si, Mengwei; Yang, Lingming; Li, Sichao; Li, Tiaoyang; Xiong, Xiong; Ye, Peide; Wu, Yanqing.

Afiliação

Li X; Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China. yqwu@mail.hust.edu.cn.

Nanoscale ; 8(6): 3572-8, 2016 Feb 14.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26806878

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Reino Unido

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