Erratum to: Infrared Reflectance Analysis of Epitaxial n-Type Doped GaN Layers Grown on Sapphire.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 502, 2017 Aug 21.
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1
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Idioma:
En
Revista:
Nanoscale Res Lett
Ano de publicação:
2017
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Ucrânia
País de publicação:
Estados Unidos