Deep level defects in 4H-SiC introduced by ion implantation: the role of single ion regime. | J Phys Condens Matter;29(47): 475701, 2017 Nov 29. | MEDLINE

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Deep level defects in 4H-SiC introduced by ion implantation: the role of single ion regime.

Pastuovic, Zeljko; Siegele, Rainer; Capan, Ivana; Brodar, Tomislav; Sato, Shin-Ichiro; Ohshima, Takeshi.

Afiliação

Pastuovic Z; Centre for Accelerator Science, Australian Nuclear Science and Technology Organisation, 1 New Illawarra Rd, Lucas Heights NSW 2234, Australia.

J Phys Condens Matter ; 29(47): 475701, 2017 Nov 29.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-28972198

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Assunto da revista: BIOFISICA Ano de publicação: 2017 Tipo de documento: Article País de afiliação: Austrália País de publicação: Reino Unido

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