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Determination of atomic vacancies in InAs/GaSb strained-layer superlattices by atomic strain.
Kim, Honggyu; Meng, Yifei; Kwon, Ji-Hwan; Rouviére, Jean-Luc; Zuo, Jian Min.
Afiliação
  • Kim H; Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA.
  • Meng Y; Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA.
  • Kwon JH; Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA.
  • Rouviére JL; Frederick Seitz Materials Research Laboratory, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA.
  • Zuo JM; Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801, USA.
IUCrJ ; 5(Pt 1): 67-72, 2018 Jan 01.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29354272
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: IUCrJ Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: Estados Unidos País de publicação: Reino Unido
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