The nitrogen concentration effect on Ce doped SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub> emission: towards optimized Ce<sup>3+</sup> for LED applications. | Nanoscale;10(8): 3823-3837, 2018 Feb 22. | MEDLINE

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The nitrogen concentration effect on Ce doped SiO_xN_y emission: towards optimized Ce³⁺ for LED applications.

Ehré, F; Labbé, C; Dufour, C; Jadwisienczak, W M; Weimmerskirch-Aubatin, J; Portier, X; Doualan, J-L; Cardin, J; Richard, A L; Ingram, D C; Labrugère, C; Gourbilleau, F.

Afiliação

Ehré F; CIMAP, Normandie Univ, ENSICAEN, UNICAEN, CEA, CNRS, 14050 Caen, France. christophe.labbe@ensicaen.fr.

Nanoscale ; 10(8): 3823-3837, 2018 Feb 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29412204

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: França País de publicação: Reino Unido

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