Critical role of a double-layer configuration in solution-based unipolar resistive switching memories. | Nanotechnology;29(34): 345206, 2018 Aug 24. | MEDLINE

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Critical role of a double-layer configuration in solution-based unipolar resistive switching memories.

Carlos, Emanuel; Kiazadeh, Asal; Deuermeier, Jonas; Branquinho, Rita; Martins, Rodrigo; Fortunato, Elvira.

Afiliação

Carlos E; CENIMAT/i3N Departamento de Ciência dos Materiais, Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT), Universidade NOVA de Lisboa (UNL), and CEMOP/UNINOVA, 2829-516 Caparica, Portugal.

Nanotechnology ; 29(34): 345206, 2018 Aug 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29863489

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: Portugal País de publicação: Reino Unido

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