High-Mobility Two-Dimensional Electron Gas at InGaN/InN Heterointerface Grown by Molecular Beam Epitaxy.
Adv Sci (Weinh)
; 5(9): 1800844, 2018 Sep.
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Idioma:
En
Revista:
Adv Sci (Weinh)
Ano de publicação:
2018
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Article
País de publicação:
Alemanha