On the origin of enhanced hole injection for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlN insertion layer in p-electron blocking layer.

Chu, Chunshuang; Tian, Kangkai; Che, Jiamang; Shao, Hua; Kou, Jianquan; Zhang, Yonghui; Li, Yi; Wang, Meiyu; Zhu, Youhua; Zhang, Zi-Hui

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On the origin of enhanced hole injection for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlN insertion layer in p-electron blocking layer.

Chu, Chunshuang; Tian, Kangkai; Che, Jiamang; Shao, Hua; Kou, Jianquan; Zhang, Yonghui; Li, Yi; Wang, Meiyu; Zhu, Youhua; Zhang, Zi-Hui.

Opt Express ; 27(12): A620-A628, 2019 Jun 10.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31252842

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de publicação: Estados Unidos