One transistor-two resistive RAM device for realizing bidirectional and analog neuromorphic synapse devices. | Nanotechnology;30(45): 455201, 2019 Nov 08. | MEDLINE

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One transistor-two resistive RAM device for realizing bidirectional and analog neuromorphic synapse devices.

Lim, Seokjae; Kwak, Myounghoon; Hwang, Hyunsang.

Afiliação

Lim S; Center for Single Atom-Based Semiconductor Device, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea. Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 30(45): 455201, 2019 Nov 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-31433790

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de publicação: Reino Unido

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