Graphene-Boron Nitride-Graphene Cross-Point Memristors with Three Stable Resistive States.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(41): 37999-38005, 2019 Oct 16.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-31529969
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Assunto da revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Ano de publicação:
2019
Tipo de documento:
Article
País de afiliação:
China
País de publicação:
Estados Unidos