Coupling Topological Insulator SnSb2 Te4 Nanodots with Highly Doped Graphene for High-Rate Energy Storage.
Adv Mater
; 32(2): e1905632, 2020 Jan.
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Idioma:
En
Revista:
Adv Mater
Assunto da revista:
BIOFISICA
/
QUIMICA
Ano de publicação:
2020
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Article
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Austrália
País de publicação:
Alemanha