Proton Conducting Perhydropolysilazane-Derived Gate Dielectric for Solution-Processed Metal Oxide-Based Thin-Film Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(13): 15396-15405, 2020 Apr 01.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-32148019
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Assunto da revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Ano de publicação:
2020
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos