Homogenization of Radial Temperature by a Tungsten Sink in Sublimation Growth of 45 mm AlN Single Crystal.

Yu, Yue; Liu, Botao; Tang, Xia; Liu, Sheng; Gao, Bing

Yu, Yue; Liu, Botao; Tang, Xia; Liu, Sheng; Gao, Bing.

Afiliação

Yu Y; The Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China.
Liu B; The Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China.
Tang X; The Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China.
Liu S; The Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China.
Gao B; The Institute of Technological Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China.

Materials (Basel) ; 13(23)2020 Dec 06.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-33291212

Palavras-chave

AlN single crystal; numerical experiments; sublimation growth; thermal stress

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Suíça

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