Resistive Switching Characteristic Improvement in a Single-Walled Carbon Nanotube Random Network Embedded Hydrogen Silsesquioxane Thin Films for Flexible Memristors.

Min, Shin-Yi; Cho, Won-Ju

Min, Shin-Yi; Cho, Won-Ju.

Afiliação

Min SY; Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Gwangun-ro 20, Nowon-gu, Seoul 01897, Korea.
Cho WJ; Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Gwangun-ro 20, Nowon-gu, Seoul 01897, Korea.

Int J Mol Sci ; 22(7)2021 Mar 25.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-33806206

Assuntos

Hidrogênio/química; Nanotubos de Carbono/química; Compostos de Organossilício/química; Simulação por Computador; Condutividade Elétrica; Desenho de Equipamento; Teste de Materiais; Nanocompostos/química; Naftalenos/química; Redes Neurais de Computação; Polietilenos/química; Temperatura

Palavras-chave

hydrogen silsesquioxane; memristor; nonvolatile multiple-resistance states; single-walled carbon nanotube random network; synaptic weight modulation

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Compostos de Organossilício / Nanotubos de Carbono / Hidrogênio Tipo de estudo: Clinical_trials / Prognostic_studies Idioma: En Revista: Int J Mol Sci Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article País de publicação: Suíça

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