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Towards an ideal high-κ HfO2-ZrO2-based dielectric.
Kashir, Alireza; Ghiasabadi Farahani, Mehrdad; Hwang, Hyunsang.
Afiliação
  • Kashir A; Center for Single Atom-based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, Republic of Korea. kashir@postech.ac.kr Hwanghs@postech.ac.kr.
Nanoscale ; 13(32): 13631-13640, 2021 Aug 28.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-34477638
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article País de publicação: Reino Unido
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