Highly linear polarized emission at telecom bands in InAs/InP quantum dot-nanowires by geometry tailoring.

Jaffal, Ali; Regreny, Philippe; Patriarche, Gilles; Gendry, Michel; Chauvin, Nicolas

Jaffal, Ali; Regreny, Philippe; Patriarche, Gilles; Gendry, Michel; Chauvin, Nicolas.

Afiliação

Jaffal A; Univ Lyon, CNRS, Ecole Centrale de Lyon, INSA Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, CNRS, INL, UMR5270, 69130 Ecully, France.
Regreny P; Univ Lyon, CNRS, INSA Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, INL, UMR5270, 69621 Villeurbanne, France. nicolas.chauvin@insa-lyon.fr.
Patriarche G; Univ Lyon, CNRS, Ecole Centrale de Lyon, INSA Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, CNRS, INL, UMR5270, 69130 Ecully, France.
Gendry M; Université Paris-Saclay, CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - C2N, 91120, Palaiseau, France.
Chauvin N; Univ Lyon, CNRS, Ecole Centrale de Lyon, INSA Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, CPE Lyon, CNRS, INL, UMR5270, 69130 Ecully, France.

Nanoscale ; 13(40): 16952-16958, 2021 Oct 21.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-34610634

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article País de afiliação: França País de publicação: Reino Unido

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