Is a thin p-GaN layer possible for making high-efficiency AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes?
Opt Express
; 29(19): 29651-29660, 2021 Sep 13.
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em En
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Idioma:
En
Revista:
Opt Express
Assunto da revista:
OFTALMOLOGIA
Ano de publicação:
2021
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos