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Is a thin p-GaN layer possible for making high-efficiency AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes?
Opt Express ; 29(19): 29651-29660, 2021 Sep 13.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-34614706

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Assunto da revista: OFTALMOLOGIA Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article País de publicação: Estados Unidos

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