High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications.
Micromachines (Basel)
; 12(11)2021 Oct 27.
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em En
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Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Micromachines (Basel)
Ano de publicação:
2021
Tipo de documento:
Article