Radiation Hardness of 4H-SiC P-N Junction UV Photo-Detector.

Sciuto, Antonella; Calcagno, Lucia; Di Franco, Salvatore; Pellegrino, Domenico; Selgi, Lorenzo Maurizio; D'Arrigo, Giuseppe

Sciuto, Antonella; Calcagno, Lucia; Di Franco, Salvatore; Pellegrino, Domenico; Selgi, Lorenzo Maurizio; D'Arrigo, Giuseppe.

Afiliação

Sciuto A; CNR-Institute for Microelectronic and Microsystems, VIII Strada No. 5, 95121 Catania, Italy.
Calcagno L; Department of Physics and Astronomy, University of Catania, 95123 Catania, Italy.
Di Franco S; CNR-Institute for Microelectronic and Microsystems, VIII Strada No. 5, 95121 Catania, Italy.
Pellegrino D; CNR-Institute for Microelectronic and Microsystems, VIII Strada No. 5, 95121 Catania, Italy.
Selgi LM; Department of Physics and Astronomy, University of Catania, 95123 Catania, Italy.
D'Arrigo G; STMicroelectronics, Str.le Primosole 50, 95121 Catania, Italy.

Materials (Basel) ; 15(1)2021 Dec 30.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-35009409

Palavras-chave

UV photo-detector; defects; ion irradiation; optical responsivity; p-n diode; radiation hardness; silicon carbide

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Ano de publicação: 2021 Tipo de documento: Article País de afiliação: Itália País de publicação: Suíça

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