Enhanced Performance of WS2 Field-Effect Transistor through Mono and Bilayer h-BN Tunneling Contacts.
Small
; 18(13): e2105753, 2022 Apr.
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1
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Idioma:
En
Revista:
Small
Assunto da revista:
ENGENHARIA BIOMEDICA
Ano de publicação:
2022
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Alemanha