Your browser doesn't support javascript.
loading
Two-Dimensional Octuple-Atomic-Layer M2Si2N4 (M = Al, Ga and In) with Long Carrier Lifetime.
Ding, Yimin; Xue, Kui; Zhang, Jing; Yan, Luo; Li, Qiaoqiao; Yao, Yisen; Zhou, Liujiang.
Afiliação
  • Ding Y; Yangtze Delta Region Institute (Huzhou), University of Electronic Science and Technology of China, Huzhou 313001, China.
  • Xue K; Yangtze Delta Region Institute (Huzhou), University of Electronic Science and Technology of China, Huzhou 313001, China.
  • Zhang J; School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China.
  • Yan L; Yangtze Delta Region Institute (Huzhou), University of Electronic Science and Technology of China, Huzhou 313001, China.
  • Li Q; School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China.
  • Yao Y; Yangtze Delta Region Institute (Huzhou), University of Electronic Science and Technology of China, Huzhou 313001, China.
  • Zhou L; School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China.
Micromachines (Basel) ; 14(2)2023 Feb 08.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-36838105
Palavras-chave
Texto completo
Adicionar na Minha BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Micromachines (Basel) Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Suíça
Texto completo
Adicionar na Minha BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Micromachines (Basel) Ano de publicação: 2023 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Suíça