Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs. | Phys Rev B Condens Matter;51(16): 10527-10538, 1995 Apr 15. | MEDLINE

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Identifying and quantifying point defects in semiconductors using x-ray-absorption spectroscopy: Si-doped GaAs.

Schuppler S; Adler DL; Pfeiffer LN; West KW; Chaban EE; Citrin PH.

Phys Rev B Condens Matter ; 51(16): 10527-10538, 1995 Apr 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-9977747

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Ano de publicação: 1995 Tipo de documento: Article

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