Your browser doesn't support javascript.
loading
Mostrar: 20 | 50 | 100
Resultados 1 - 14 de 14
Filtrar
Mais filtros
Base de dados
Tipo de documento
Intervalo de ano de publicação
1.
Si-->
Ourmazd A; Taylor DW; Rentschler JA; Bevk J.
Phys Rev Lett ; 59(2): 213-216, 1987 Jul 13.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10035481
2.
Structurally induced optical transitions in Ge-Si superlattices.
Pearsall TP; Bevk J; Feldman LC; Bonar JM; Mannaerts JP; Ourmazd A.
Phys Rev Lett ; 58(7): 729-732, 1987 Feb 16.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10035020
3.
Strain in ultrathin epitaxial films of Ge/Si(100) measured by ion scattering and channeling.
Feldman LC; Bevk J; Davidson BA; Gossmann H; Mannaerts JP.
Phys Rev Lett ; 59(6): 664-667, 1987 Aug 10.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10035839
4.
Observation of (5 x 5) surface reconstruction on pure silicon and its stability against native-oxide formation.
Ourmazd A; Taylor DW; Bevk J; Davidson BA; Feldman LC; Mannaerts JP.
Phys Rev Lett ; 57(11): 1332-1335, 1986 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10033418
5.
Boron diffusion in strained Si1-xGex epitaxial layers.
Moriya N; Feldman LC; Luftman HS; King CA; Bevk J; Freer B.
Phys Rev Lett ; 71(6): 883-886, 1993 Aug 09.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055392
6.
Influence of surface reconstruction on the orientation of homoepitaxial silicon films.
Headrick RL; Weir BE; Bevk J; Freer BS; Eaglesham DJ; Feldman LC.
Phys Rev Lett ; 65(9): 1128-1131, 1990 Aug 27.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043112
7.
X-ray and Raman scattering measurements in finite, pseudomorphically strained, Fibonacci lattices.
Macrander AT; Schwartz GP; Bevk J.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(14): 8459-8461, 1988 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944191
8.
Grazing-incidence x-ray-scattering study of step-step correlations on Si(001) surfaces.
Renaud G; Fuoss PH; Bevk J; Freer BS.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(16): 9192-9201, 1992 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10000785
9.
Use of hydrostatic pressure to resolve phonon replicalike features in the photoluminescence spectrum of beryllium-doped silicon.
Kim S; Herman IP; Moore KL; Hall DG; Bevk J.
Phys Rev B Condens Matter ; 52(23): 16309-16312, 1995 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9981017
10.
Hydrostatic pressure dependence of isoelectronic bound excitons in beryllium-doped silicon.
Kim S; Herman IP; Moore KL; Hall DG; Bevk J.
Phys Rev B Condens Matter ; 53(8): 4434-4442, 1996 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9983997
11.
Theoretical analysis of Raman spectra of finite-stage Si/Si-Ge Fibonacci superlattices.
Aers GC; Dharma-wardana MW; Schwartz GP; Bevk J.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(2): 1092-1096, 1989 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948290
12.
Core-level photoemission measurements of valence-band offsets in highly strained heterojunctions: Si-Ge system.
Schwartz GP; Hybertsen MS; Bevk J; Nuzzo RG; Mannaerts JP; Gualtieri GJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(2): 1235-1241, 1989 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948308
13.
Electronic structure of Ge/Si monolayer strained-layer superlattices.
Pearsall TP; Bevk J; Bean JC; Bonar J; Mannaerts JP; Ourmazd A.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(6): 3741-3757, 1989 Feb 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9948696
14.
Origin of the optical transitions in ordered Si/Ge(001) superlattices.
Hybertsen MS; Schlüter M; People R; Jackson SA; Lang DV; Pearsall TP; Bean JC; Vandenberg JM; Bevk J.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(17): 10195-10198, 1988 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9944449
ENVIAR RESULTADO:
Email
Exportar
Imprimir
RSS
XML
SELEÇÃO DE REFERÊNCIAS
DETALHE DA PESQUISA